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Mosfet di potenza da F8n60 a -220f in modalità potenziamento canale N da 7,5 A 600 V

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Condensatore ceramico X2 184/630V P15 6um

Condensatore ceramico X2 184/630V P15 6um
Condensatore ceramico multistrato a valore fisso ad alta tensione, Q elevato, bassa induttanza su chip Mlcc, 15 kV, 222, 2,2 NF, 0,0022 UF per applicazioni automobilistiche/industriali/di consumo

Condensatore ceramico multistrato a valore fisso ad alta tensione, Q elevato, bassa induttanza su chip Mlcc, 15 kV, 222, 2,2 NF, 0,0022 UF per applicazioni automobilistiche/industriali/di consumo
36V LiFePO4 BMS 12s 15A-60A 18650 Batteria BMS Pacchetti PCB Bordo di Protezione Equilibrio Circuiti Integrati

36V LiFePO4 BMS 12s 15A-60A 18650 Batteria BMS Pacchetti PCB Bordo di Protezione Equilibrio Circuiti Integrati
Condensatori ceramici multistrato 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%

Condensatori ceramici multistrato 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%
Condensatori ceramici multistrato 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10%

Condensatori ceramici multistrato 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10%
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Mosfet di potenza da F8n60 a -220f in modalità potenziamento canale N da 7,5 A 600 V

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DESCRIZIONE

Informazioni di base
Modello numero:F8n60
Numero di lotto2021
Marchiobxdh
Pacchetto di trasportoRohr
marchioWXDH
OrigineWuxi, Cina
Codice HS8541290000
Descrizione del prodotto

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f

Descrizione
Questi VDMOSFET potenziati a canale N sono ottenuti attraverso la tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliora le prestazioni di commutazione e aumenta l'energia della valanga. Che è conforme allo standard RoHS.
PARAMETROSIMBOLOWERTUNITÀ
8N60/I8N60/E8N60/B8N60/D8N60F8N60
Massima tensione continua della sorgente DrianVDS600V
Massima tensione di gate-drainVGS±30V
Flusso di deflusso (continuo)IOD(T=25°C)7.5UN
(T=100°C)4.8UN
Flusso in uscita (pulsato)IODM30UN
Energia da valanga a impulso singoloESE400mJ
Recupero picco diodo dv/dtdv/dt5V/ns
Perdita di potenza totaleTa=25°CPt22W
Temperatura = 25 °CPt10035W
Temperatura spotTJ150C
Temperatura di conservazioneTstg-55~150C
caratteristiche
Commutazione rapida
Capacità potenziata ESD
Bassa resistenza ON (Rdson ≤ 1,3 Ω)
Carica gate bassa (tipo: 24 nC)
Capacità di ritrasmissione basse (tipo: 5,5 pF)
Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.
Test ΔVDS al 100 %
Applicazioni
Utilizzato in vari circuiti di alimentazione per la miniaturizzazione del sistema e una maggiore efficienza.
Circuito di alimentazione con alimentatore elettronico e adattatore.
Specifiche del prodotto e modelli di imballaggio

7.5A 600V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet F8n60 to-220f


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