Transistor bipolare con gate isolato IGBT G25t120d bis-247

DESCRIZIONE

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

PARAMETRO		SIMBOLO	VALUTAZIONE	UNITÀ

Tensione collettore-emettitore		V_CES	1200	V
Tensione gate-emettitore		V_GES	±20	V
Kollektorstrom		IO_C(T=25°C)	50	UN
Kollektorstrom		(Tc=100 °C)	25	UN
Corrente di collettore pulsata		IO_CM	75	UN
Corrente diretta continua del diodo		IO_F@TC = 100 °C	25	UN
Corrente diretta massima del diodo		IO_FM	75	UN
Perdita di potenza totale	T_C=25°C	P_D	278	W
	T_C=100°C	P_D	111	W
Temperatura spot		T_J	150	C
Temperatura di conservazione		T_stg	-55~150	C

caratteristiche

Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo

Bassa tensione di saturazione: V_CE(Dorf), tipo = 2,0 V
@ IO_C=25A e T_C= 100°C

Capacità valanghe estremamente migliorata

Applicazioni

condizionatore

saldatura

UPS

Specifiche del prodotto e modelli di imballaggio
Modello di prodotto	Tipo di pacchetto	Evidenzia il nome	RoHS	Pacchetto	Folla
G25T120D	TO-247	G25T120D	Bleifrei	Rohr	300/Cartone

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT G25t120d to-247

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