Prodotti

Categoria

Prodotti a semiconduttori discreti

Transistor – FET, MOSFET – singolarmente

Produttore

Tecnologie Infineon

Serie

HEXFET®

Pacchetto

Rohr

Stato della parte

Obsoleto

Grassetto

Canale N

Tecnologia

MOSFET (ossido di metallo)

Tensione drain-source (Vdss)

40 V

Corrente – consumo continuo (Id) a 25°C

42A(Tc)

Tensione di comando (Rds massimo attivato, Rds minimo attivato)

10 V

Rds attivo (max) @ Id, Vgs

5,5 mOhm con 42 A, 10 V

Vgs(esimo) (Max) @ Id

4 V a 250 µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

89 nC a 10 V

Vg (massimo)

±20 V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) a Vds

2950 pF a 25 V

Funzione GRASSETTO

-

Perdita di potenza (max.)

140 W(Tc)

temperatura operativa

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di fissaggio

Montaggio superficiale

Pacchetto del dispositivo del fornitore

D-Pak

Pacchetto/valigia

TO-252-3, DPak (2 righe + tabulazioni), SC-63