Notizia

Jan 25, 2024

Renesas presenta il nuovo CI gate driver per IGBT e MOSFET SiC che pilotano inverter EV

The New Gate Driver IC Supports 1200V Power Devices with 3.75kVrms in Isolation

Il nuovo CI gate driver supporta dispositivi di alimentazione da 1200 V con tensione di isolamento di 3,75 kVrms

TOKYO, Giappone ― Renesas Electronics Corporation (TSE: 6723), fornitore leader di soluzioni avanzate di semiconduttori, ha annunciato oggi un nuovo CI gate driver progettato per pilotare dispositivi di potenza ad alta tensione come IGBT (transistor bipolari a gate isolato) e SiC ( MOSFET al carburo di silicio) per inverter di veicoli elettrici (EV).

I circuiti integrati gate driver sono componenti essenziali per gli inverter EV, poiché forniscono un'interfaccia tra l'MCU di controllo dell'inverter e gli IGBT e i MOSFET SiC che forniscono energia all'inverter. Ricevono segnali di controllo dall'MCU nel dominio a bassa tensione e trasferiscono questi segnali per accendere e spegnere rapidamente i dispositivi di alimentazione nel dominio ad alta tensione. Per accogliere le tensioni più elevate delle batterie dei veicoli elettrici, RAJ2930004AGM è dotato di un isolatore integrato da 3,75 kVrms (radice quadrata media kV), che è superiore all'isolatore da 2,5 kVrms del prodotto della generazione precedente e può supportare dispositivi di alimentazione con una tensione di resistenza di fino a 1200V. Inoltre, il nuovo driver IC vanta prestazioni CMTI (Common Mode Transient Immunity) superiori a 150 V/ns (nanosecondi) o superiori, fornendo comunicazioni affidabili e maggiore immunità al rumore soddisfacendo al tempo stesso le alte tensioni e le elevate velocità di commutazione richieste nei sistemi inverter. Il nuovo prodotto offre le funzioni di base di un gate driver in un piccolo pacchetto SOIC16, rendendolo ideale per sistemi inverter economicamente vantaggiosi.

Il RAJ2930004AGM può essere utilizzato insieme agli IGBT Renesas nonché agli IGBT e ai MOSFET SiC di altri produttori. Oltre agli inverter di trazione, il CI del gate driver è ideale per un'ampia gamma di applicazioni che utilizzano semiconduttori di potenza, come caricabatterie di bordo e convertitori CC/CC. Per aiutare gli sviluppatori a immettere rapidamente i loro prodotti sul mercato, Renesas offre la soluzione xEV Inverter Kit che combina circuiti integrati gate driver con MCU, IGBT e circuiti integrati di gestione dell'alimentazione e prevede di rilasciare una versione che incorpori il nuovo CI gate driver nella prima metà del 2023 .

"Renesas è lieta di offrire il CI gate driver di seconda generazione per applicazioni automobilistiche con elevata tensione di isolamento e prestazioni CMTI superiori", ha affermato Akira Omichi, vicepresidente della divisione aziendale specifica per applicazioni analogiche automobilistiche di Renesas. "Continueremo a promuovere lo sviluppo di applicazioni per veicoli elettrici offrendo soluzioni che riducono al minimo la perdita di potenza e soddisfano elevati livelli di sicurezza funzionale nei sistemi dei nostri clienti."

Capacità di isolamento

Funzionalità di azionamento del cancello

Funzioni di protezione/rilevamento guasti

Intervallo di temperatura operativa: da -40 a 125°C (Tj:150°C max.)

Questo prodotto contribuirà ad aumentare l’adozione dei veicoli elettrici realizzando inverter economici, riducendo così al minimo l’impatto ambientale.

Il CI gate driver RAJ2930004AGM è disponibile oggi in quantità campione con produzione di massa prevista per il primo trimestre del 2024. Maggiori informazioni sul nuovo prodotto sono disponibili all'indirizzo: https://www.renesas.com/products/automotive-products/automotive- gestione-alimentazione/azionamenti-motore-e-solenoide/raj2930004agm-gate-driver-hevev

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