Language
MOSFET di potenza in modalità boost a canale N da 100 A 30 V da 30h10K a -252b

Prodotti

CasaCasa / Prodotti / MOSFET / Dettagli
search
CATEGORIE
MOSFET
PRODOTTO
Condensatore ceramico X2 184/630V P15 6um

Condensatore ceramico X2 184/630V P15 6um
Condensatore ceramico multistrato a valore fisso ad alta tensione, Q elevato, bassa induttanza su chip Mlcc, 15 kV, 222, 2,2 NF, 0,0022 UF per applicazioni automobilistiche/industriali/di consumo

Condensatore ceramico multistrato a valore fisso ad alta tensione, Q elevato, bassa induttanza su chip Mlcc, 15 kV, 222, 2,2 NF, 0,0022 UF per applicazioni automobilistiche/industriali/di consumo
36V LiFePO4 BMS 12s 15A-60A 18650 Batteria BMS Pacchetti PCB Bordo di Protezione Equilibrio Circuiti Integrati

36V LiFePO4 BMS 12s 15A-60A 18650 Batteria BMS Pacchetti PCB Bordo di Protezione Equilibrio Circuiti Integrati
Condensatori ceramici multistrato 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%

Condensatori ceramici multistrato 0402N470J500CT 0402 47PF 50V NPO 5%
Condensatori ceramici multistrato 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10%

Condensatori ceramici multistrato 0805B473K101CT 0805 47NF 100V X7R 10%
Invia la tua richiesta
INVIA
MOSFET di potenza in modalità boost a canale N da 100 A 30 V da 30h10K a -252b

MOSFET di potenza in modalità boost a canale N da 100 A 30 V da 30h10K a -252b

MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 30 V 1 Descrizione Questi VDMOSFET potenziati a canale N u

Invia la tua richiesta

DESCRIZIONE

Informazioni di base
Modello numero:30H10K
Numero di lotto2021
Marchiobxdh
Pacchetto di trasportoBanda, Rolle
marchioWXDH
OrigineWuxi, Cina
Codice HS8541290000
Descrizione del prodotto

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b


MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 30 V
1 descrizione
Vengono utilizzati questi VDMOSFET potenziati a canale N
Design avanzato della tecnologia di trincea, ottimamente fornito
RDSON e carica di gate bassa. Il che è d'accordo con questo
Standard RoHS.
caratteristiche
Commutazione rapida
Bassa resistenza ON (Rdson ≤ 0,55 mΩ)
Carica gate bassa (tipo: 43 nC)
Capacità di ritrasmissione basse (tipo: 215 pF)
Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.
100% VDSControllo
Applicazioni
Applicazioni di commutazione di potenza
Sistema di gestione dell'inverter
Utensili elettrici
Elettronica automobilistica
PARAMETROSIMBOLOWERTUNITÀ
30H10/30H10I/30H10E/30H10K/30H10B30H10F
Massima tensione continua della sorgente DrianVDS30V
Massima tensione di gate-drainVGS±20V
Flusso di deflusso (continuo)IOD(T=25°C)100UN
(T=100°C)70UN
Flusso in uscita (pulsato)IODM280UN
Energia da valanga a impulso singoloESE200mJ
Perdita di potenza totaleTa=25°CPt22W
Temperatura = 25 °CPt6024W
Temperatura spotTJ-55~150C
Temperatura di conservazioneTstg-55~150C
Specifiche del prodotto e modelli di imballaggio
Modello di prodottoTipo di pacchettoEvidenzia il nomeRoHSPacchettoFolla
30H10TO-220C30H10BleifreiRohr1000/Cartone
30H10FTO-220F30H10FBleifrei

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet 30h10K to-252b


Prodotti correlati