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Mosfet di potenza in modalità boost canale N da 96 A 30 V da Dh030n03 a -220c
Mosfet di potenza in modalità boost canale N da 96 A 30 V da Dh030n03 a -220c
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Informazioni di base
| Modello numero: | DH030N03 |
| Tecnologia di produzione | Dispositivo discreto |
| Materiale | Semiconduttori di ossido di metallo |
| Tip | Semiconduttore di tipo N |
| Pacchetto | fino a -220c |
| Applicazione | Commutazione di potenza, convertitore, controllo a ponte completo |
| Modello | Dh030n03 |
| Numero di lotto | 2022 |
| Marchio | bxdh |
| Pacchetto di trasporto | Nastro e bobina |
| marchio | WXDH |
| Origine | Wuxi, Cina |
| Codice HS | 8541290000 |
Descrizione del prodotto
| PARAMETRO | SIMBOLO | WERT | UNITÀ | ||
| DH030N03/DH030N03I/DH030N03E/DH030N03B/DH030N03D | DH030N03F | ||||
| Tensione tra essiccatore e sorgente | VDSS | 30 | V | ||
| Tensione gate-source | VGSS | ±20 | V | ||
| Flusso di deflusso (continuo) | IOD(T=25°C) | 120 | UN | ||
| (T=100°C) | 84 | UN | |||
| Flusso in uscita (pulsato) | IODM | 480 | UN | ||
| Energia da valanga a impulso singolo | ESE | 410 | mJ | ||
| Perdita di potenza totale | Ta=25°C | Pt | 2 | 2 | W |
| Temperatura = 25 °C | Pt | 120 | 36 | W | |
| Temperatura spot | TJ | -55~175 | C | ||
| Temperatura di conservazione | Tstg | -55~175 | C | ||
| caratteristiche |
| Commutazione rapida |
| Bassa resistenza ON |
| Carica di gate bassa |
| Basse capacità di ritrasmissione |
| Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. |
| 100% VDSControllo |
| Applicazioni |
| Applicazioni di commutazione di potenza |
| Sistema di gestione dell'inverter |
| Utensili elettrici |
| Elettronica automobilistica |
| Specifiche del prodotto e modelli di imballaggio | |||||
| Modello di prodotto | Tipo di pacchetto | Evidenzia il nome | RoHS | Pacchetto | Folla |
| DH030N03 | TO-220C | DH030N03 | Bleifrei | Rohr | |
