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DESCRIZIONE

Informazioni di base

Modello numero:	G16P03D3
Certificazione	RoHS, ISO
funzione	Commutare il transistor
Struttura	Graben
Struttura di incapsulamento	Transistor sigillato in plastica
Livello di potenza	Prestazioni medie
Spq	4000 pezzi/rotolo
Tempi di consegna	4~6 settimane
Pacchetto di trasporto	Cartone
specifica	Pacchetto DFN
marchio	COMFORT
Origine	Cina
Codice HS	8541290000

Descrizione del prodotto

FDMC4435BZ MOSFET sostitutivo -30 V Pacchetto DFN a canale P per ricarica rapida mobile
descrizione generale Il G16P03D3 utilizza la tecnologia avanzata delle trincee per fornire un eccellente RDS(ON) e un basso carico del cancello. Può essere utilizzato in una varietà di applicazioni.

caratteristiche generali
Caratteristiche generaliVDS 30V ID (a VGS = 10V) 16A RDS(ON) (a VGS = 4,5V) Tipo: 16,3mΩ Test valanghe al 100% Conforme RoHS

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La nostra fabbricaLa nostra azienda

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Mosfet di potenza in modalità boost canale N da 96 A 30 V da Dh030n03 a -220c

Hochspannungs-Pdnf-8*8-Paket Osg80r300jf Mosfet di potenza a canale N singolo

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